LSIC1MO120E0120
SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3
Artikelnummer
LSIC1MO120E0120
Tillverkare/varumärke
Sektionsstatus
Active
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247-3
Effektförlust (max)
139W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 14A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 7mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1125pF @ 800V
Vgs (max)
+22V, -6V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51887 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av LSIC1MO120E0120
LSIC1MO120E0120 Elektroniska komponenter
LSIC1MO120E0120 Försäljning
LSIC1MO120E0120 Leverantör
LSIC1MO120E0120 Distributör
LSIC1MO120E0120 Datatabell
LSIC1MO120E0120 Foton
LSIC1MO120E0120 Pris
LSIC1MO120E0120 Erbjudande
LSIC1MO120E0120 Lägsta pris
LSIC1MO120E0120 Sök
LSIC1MO120E0120 Köp av
LSIC1MO120E0120 Chip