LSIC1MO120E0080
MOSFET SIC 1200V 25A TO-247-3L
Artikelnummer
LSIC1MO120E0080
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247-3
Effektförlust (max)
179W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
39A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1825pF @ 800V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
20V
Vgs (max)
+22V, -6V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46399 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av LSIC1MO120E0080
LSIC1MO120E0080 Elektroniska komponenter
LSIC1MO120E0080 Försäljning
LSIC1MO120E0080 Leverantör
LSIC1MO120E0080 Distributör
LSIC1MO120E0080 Datatabell
LSIC1MO120E0080 Foton
LSIC1MO120E0080 Pris
LSIC1MO120E0080 Erbjudande
LSIC1MO120E0080 Lägsta pris
LSIC1MO120E0080 Sök
LSIC1MO120E0080 Köp av
LSIC1MO120E0080 Chip