IXTR210P10T
MOSFET P-CH 100V 158A ISOPLUS247
Artikelnummer
IXTR210P10T
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchP™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
ISOPLUS247™
Effektförlust (max)
595W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 105A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
740nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
69500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53584 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTR210P10T
IXTR210P10T Elektroniska komponenter
IXTR210P10T Försäljning
IXTR210P10T Leverantör
IXTR210P10T Distributör
IXTR210P10T Datatabell
IXTR210P10T Foton
IXTR210P10T Pris
IXTR210P10T Erbjudande
IXTR210P10T Lägsta pris
IXTR210P10T Sök
IXTR210P10T Köp av
IXTR210P10T Chip