IXTR102N65X2
MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
Artikelnummer
IXTR102N65X2
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
ISOPLUS247™
Leverantörsenhetspaket
ISOPLUS247™
Effektförlust (max)
330W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
54A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
152nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17299 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTR102N65X2
IXTR102N65X2 Elektroniska komponenter
IXTR102N65X2 Försäljning
IXTR102N65X2 Leverantör
IXTR102N65X2 Distributör
IXTR102N65X2 Datatabell
IXTR102N65X2 Foton
IXTR102N65X2 Pris
IXTR102N65X2 Erbjudande
IXTR102N65X2 Lägsta pris
IXTR102N65X2 Sök
IXTR102N65X2 Köp av
IXTR102N65X2 Chip