IXTR170P10P
MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247
Artikelnummer
IXTR170P10P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarP™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
ISOPLUS247™
Leverantörsenhetspaket
ISOPLUS247™
Effektförlust (max)
312W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
108A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
12600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 26722 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTR170P10P
IXTR170P10P Elektroniska komponenter
IXTR170P10P Försäljning
IXTR170P10P Leverantör
IXTR170P10P Distributör
IXTR170P10P Datatabell
IXTR170P10P Foton
IXTR170P10P Pris
IXTR170P10P Erbjudande
IXTR170P10P Lägsta pris
IXTR170P10P Sök
IXTR170P10P Köp av
IXTR170P10P Chip