IXTR200N10P
MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
Artikelnummer
IXTR200N10P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarP2™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
ISOPLUS247™
Leverantörsenhetspaket
ISOPLUS247™
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 500µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
235nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42033 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTR200N10P
IXTR200N10P Elektroniska komponenter
IXTR200N10P Försäljning
IXTR200N10P Leverantör
IXTR200N10P Distributör
IXTR200N10P Datatabell
IXTR200N10P Foton
IXTR200N10P Pris
IXTR200N10P Erbjudande
IXTR200N10P Lägsta pris
IXTR200N10P Sök
IXTR200N10P Köp av
IXTR200N10P Chip