IXTN600N04T2
MOSFET N-CH 40V 600A SOT-227
Artikelnummer
IXTN600N04T2
Tillverkare/varumärke
Serier
GigaMOS™, TrenchT2™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
SOT-227B
Effektförlust (max)
940W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
600A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.05 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
590nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
40000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20108 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTN600N04T2
IXTN600N04T2 Elektroniska komponenter
IXTN600N04T2 Försäljning
IXTN600N04T2 Leverantör
IXTN600N04T2 Distributör
IXTN600N04T2 Datatabell
IXTN600N04T2 Foton
IXTN600N04T2 Pris
IXTN600N04T2 Erbjudande
IXTN600N04T2 Lägsta pris
IXTN600N04T2 Sök
IXTN600N04T2 Köp av
IXTN600N04T2 Chip