IXTN120P20T
MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227
Artikelnummer
IXTN120P20T
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchP™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
SOT-227B
Effektförlust (max)
830W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
106A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
740nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
73000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 39672 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTN120P20T
IXTN120P20T Elektroniska komponenter
IXTN120P20T Försäljning
IXTN120P20T Leverantör
IXTN120P20T Distributör
IXTN120P20T Datatabell
IXTN120P20T Foton
IXTN120P20T Pris
IXTN120P20T Erbjudande
IXTN120P20T Lägsta pris
IXTN120P20T Sök
IXTN120P20T Köp av
IXTN120P20T Chip