IXTN170P10P
MOSFET P-CH 100V 170A SOT227
Artikelnummer
IXTN170P10P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarP™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
SOT-227B
Effektförlust (max)
890W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
12600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10763 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTN170P10P
IXTN170P10P Elektroniska komponenter
IXTN170P10P Försäljning
IXTN170P10P Leverantör
IXTN170P10P Distributör
IXTN170P10P Datatabell
IXTN170P10P Foton
IXTN170P10P Pris
IXTN170P10P Erbjudande
IXTN170P10P Lägsta pris
IXTN170P10P Sök
IXTN170P10P Köp av
IXTN170P10P Chip