Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXTN200N10L2

IXTN200N10L2

MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227
Artikelnummer
IXTN200N10L2
Tillverkare/varumärke
Serier
Linear L2™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
SOT-227B
Effektförlust (max)
830W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
178A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 3mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
540nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
23000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49432 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXTN200N10L2
IXTN200N10L2 Elektroniska komponenter
IXTN200N10L2 Försäljning
IXTN200N10L2 Leverantör
IXTN200N10L2 Distributör
IXTN200N10L2 Datatabell
IXTN200N10L2 Foton
IXTN200N10L2 Pris
IXTN200N10L2 Erbjudande
IXTN200N10L2 Lägsta pris
IXTN200N10L2 Sök
IXTN200N10L2 Köp av
IXTN200N10L2 Chip