IXTN30N100L
MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227
Artikelnummer
IXTN30N100L
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
SOT-227B
Effektförlust (max)
800W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
450 mOhm @ 15A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
545nC @ 20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
20V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23127 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTN30N100L
IXTN30N100L Elektroniska komponenter
IXTN30N100L Försäljning
IXTN30N100L Leverantör
IXTN30N100L Distributör
IXTN30N100L Datatabell
IXTN30N100L Foton
IXTN30N100L Pris
IXTN30N100L Erbjudande
IXTN30N100L Lägsta pris
IXTN30N100L Sök
IXTN30N100L Köp av
IXTN30N100L Chip