köpa IXYS IXFN80N60P3 MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Visa mer info Datablad

IXFN80N60P3

MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

Artikelnummer

IXFN80N60P3

Tillverkare/varumärke

IXYS

Serier

HiPerFET™, Polar3™

Sektionsstatus

Active

Förpackning

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Chassis Mount

Paket/fodral

SOT-227-4, miniBLOC

Leverantörsenhetspaket

SOT-227B

Effektförlust (max)

960W (Tc)

FET typ

N-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

600V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

66A (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

70 mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

190nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

13100pF @ 25V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

Vgs (max)

±30V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 46122 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter

IXFN100N10S1