IXFN80N50
MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
Artikelnummer
IXFN80N50
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
SOT-227B
Effektförlust (max)
700W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
380nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9890pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6792 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFN80N50
IXFN80N50 Elektroniska komponenter
IXFN80N50 Försäljning
IXFN80N50 Leverantör
IXFN80N50 Distributör
IXFN80N50 Datatabell
IXFN80N50 Foton
IXFN80N50 Pris
IXFN80N50 Erbjudande
IXFN80N50 Lägsta pris
IXFN80N50 Sök
IXFN80N50 Köp av
IXFN80N50 Chip