Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXFN70N60Q2

IXFN70N60Q2

MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B
Artikelnummer
IXFN70N60Q2
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
SOT-227B
Effektförlust (max)
890W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
265nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20167 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXFN70N60Q2
IXFN70N60Q2 Elektroniska komponenter
IXFN70N60Q2 Försäljning
IXFN70N60Q2 Leverantör
IXFN70N60Q2 Distributör
IXFN70N60Q2 Datatabell
IXFN70N60Q2 Foton
IXFN70N60Q2 Pris
IXFN70N60Q2 Erbjudande
IXFN70N60Q2 Lägsta pris
IXFN70N60Q2 Sök
IXFN70N60Q2 Köp av
IXFN70N60Q2 Chip