Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXFN40N110Q3

IXFN40N110Q3

MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B
Artikelnummer
IXFN40N110Q3
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
SOT-227B
Effektförlust (max)
960W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
260 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
14000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23666 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXFN40N110Q3
IXFN40N110Q3 Elektroniska komponenter
IXFN40N110Q3 Försäljning
IXFN40N110Q3 Leverantör
IXFN40N110Q3 Distributör
IXFN40N110Q3 Datatabell
IXFN40N110Q3 Foton
IXFN40N110Q3 Pris
IXFN40N110Q3 Erbjudande
IXFN40N110Q3 Lägsta pris
IXFN40N110Q3 Sök
IXFN40N110Q3 Köp av
IXFN40N110Q3 Chip