Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXFN34N100

IXFN34N100

MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B
Artikelnummer
IXFN34N100
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
SOT-227B
Effektförlust (max)
700W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
280 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
380nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35374 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXFN34N100
IXFN34N100 Elektroniska komponenter
IXFN34N100 Försäljning
IXFN34N100 Leverantör
IXFN34N100 Distributör
IXFN34N100 Datatabell
IXFN34N100 Foton
IXFN34N100 Pris
IXFN34N100 Erbjudande
IXFN34N100 Lägsta pris
IXFN34N100 Sök
IXFN34N100 Köp av
IXFN34N100 Chip