IXFN24N100
MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
Artikelnummer
IXFN24N100
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
SOT-227B
Effektförlust (max)
568W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
390 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
267nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33032 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFN24N100
IXFN24N100 Elektroniska komponenter
IXFN24N100 Försäljning
IXFN24N100 Leverantör
IXFN24N100 Distributör
IXFN24N100 Datatabell
IXFN24N100 Foton
IXFN24N100 Pris
IXFN24N100 Erbjudande
IXFN24N100 Lägsta pris
IXFN24N100 Sök
IXFN24N100 Köp av
IXFN24N100 Chip