Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXFN23N100

IXFN23N100

MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
Artikelnummer
IXFN23N100
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
SOT-227B
Effektförlust (max)
600W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41341 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXFN23N100
IXFN23N100 Elektroniska komponenter
IXFN23N100 Försäljning
IXFN23N100 Leverantör
IXFN23N100 Distributör
IXFN23N100 Datatabell
IXFN23N100 Foton
IXFN23N100 Pris
IXFN23N100 Erbjudande
IXFN23N100 Lägsta pris
IXFN23N100 Sök
IXFN23N100 Köp av
IXFN23N100 Chip