Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXFN230N10

IXFN230N10

MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B
Artikelnummer
IXFN230N10
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
SOT-227B
Effektförlust (max)
700W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
230A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
570nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
19000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40636 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXFN230N10
IXFN230N10 Elektroniska komponenter
IXFN230N10 Försäljning
IXFN230N10 Leverantör
IXFN230N10 Distributör
IXFN230N10 Datatabell
IXFN230N10 Foton
IXFN230N10 Pris
IXFN230N10 Erbjudande
IXFN230N10 Lägsta pris
IXFN230N10 Sök
IXFN230N10 Köp av
IXFN230N10 Chip