Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXFN210N30X3

IXFN210N30X3

FET N-CHANNEL
Artikelnummer
IXFN210N30X3
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
SOT-227B
Effektförlust (max)
695W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
300V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
210A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.6 mOhm @ 105A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
375nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
24200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7416 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXFN210N30X3
IXFN210N30X3 Elektroniska komponenter
IXFN210N30X3 Försäljning
IXFN210N30X3 Leverantör
IXFN210N30X3 Distributör
IXFN210N30X3 Datatabell
IXFN210N30X3 Foton
IXFN210N30X3 Pris
IXFN210N30X3 Erbjudande
IXFN210N30X3 Lägsta pris
IXFN210N30X3 Sök
IXFN210N30X3 Köp av
IXFN210N30X3 Chip