IXFN170N65X2
MOSFET N-CH
Artikelnummer
IXFN170N65X2
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
SOT-227B
Effektförlust (max)
1170W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
434nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
27000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21997 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFN170N65X2
IXFN170N65X2 Elektroniska komponenter
IXFN170N65X2 Försäljning
IXFN170N65X2 Leverantör
IXFN170N65X2 Distributör
IXFN170N65X2 Datatabell
IXFN170N65X2 Foton
IXFN170N65X2 Pris
IXFN170N65X2 Erbjudande
IXFN170N65X2 Lägsta pris
IXFN170N65X2 Sök
IXFN170N65X2 Köp av
IXFN170N65X2 Chip