Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXFN170N25X3

IXFN170N25X3

MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B
Artikelnummer
IXFN170N25X3
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
SOT-227B
Effektförlust (max)
390W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.4 mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
190nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34449 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXFN170N25X3
IXFN170N25X3 Elektroniska komponenter
IXFN170N25X3 Försäljning
IXFN170N25X3 Leverantör
IXFN170N25X3 Distributör
IXFN170N25X3 Datatabell
IXFN170N25X3 Foton
IXFN170N25X3 Pris
IXFN170N25X3 Erbjudande
IXFN170N25X3 Lägsta pris
IXFN170N25X3 Sök
IXFN170N25X3 Köp av
IXFN170N25X3 Chip