Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXFN140N30P

IXFN140N30P

MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
Artikelnummer
IXFN140N30P
Tillverkare/varumärke
Serier
Polar™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
SOT-227B
Effektförlust (max)
700W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
300V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
185nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
14800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48233 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXFN140N30P
IXFN140N30P Elektroniska komponenter
IXFN140N30P Försäljning
IXFN140N30P Leverantör
IXFN140N30P Distributör
IXFN140N30P Datatabell
IXFN140N30P Foton
IXFN140N30P Pris
IXFN140N30P Erbjudande
IXFN140N30P Lägsta pris
IXFN140N30P Sök
IXFN140N30P Köp av
IXFN140N30P Chip