Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXFN140N20P

IXFN140N20P

MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
Artikelnummer
IXFN140N20P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarHT™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Chassis Mount
Paket/fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Leverantörsenhetspaket
SOT-227B
Effektförlust (max)
680W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
115A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V, 15V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24849 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXFN140N20P
IXFN140N20P Elektroniska komponenter
IXFN140N20P Försäljning
IXFN140N20P Leverantör
IXFN140N20P Distributör
IXFN140N20P Datatabell
IXFN140N20P Foton
IXFN140N20P Pris
IXFN140N20P Erbjudande
IXFN140N20P Lägsta pris
IXFN140N20P Sök
IXFN140N20P Köp av
IXFN140N20P Chip