IXFA4N100Q-TRL
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
Artikelnummer
IXFA4N100Q-TRL
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (IXFA)
Effektförlust (max)
150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1050pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29881 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFA4N100Q-TRL
IXFA4N100Q-TRL Elektroniska komponenter
IXFA4N100Q-TRL Försäljning
IXFA4N100Q-TRL Leverantör
IXFA4N100Q-TRL Distributör
IXFA4N100Q-TRL Datatabell
IXFA4N100Q-TRL Foton
IXFA4N100Q-TRL Pris
IXFA4N100Q-TRL Erbjudande
IXFA4N100Q-TRL Lägsta pris
IXFA4N100Q-TRL Sök
IXFA4N100Q-TRL Köp av
IXFA4N100Q-TRL Chip