IXFA10N60P
MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
Artikelnummer
IXFA10N60P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarP2™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (IXFA)
Effektförlust (max)
200W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
740 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1610pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17706 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFA10N60P
IXFA10N60P Elektroniska komponenter
IXFA10N60P Försäljning
IXFA10N60P Leverantör
IXFA10N60P Distributör
IXFA10N60P Datatabell
IXFA10N60P Foton
IXFA10N60P Pris
IXFA10N60P Erbjudande
IXFA10N60P Lägsta pris
IXFA10N60P Sök
IXFA10N60P Köp av
IXFA10N60P Chip