IXFA12N50P
MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK
Artikelnummer
IXFA12N50P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarP2™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (IXFA)
Effektförlust (max)
200W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1830pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34561 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFA12N50P
IXFA12N50P Elektroniska komponenter
IXFA12N50P Försäljning
IXFA12N50P Leverantör
IXFA12N50P Distributör
IXFA12N50P Datatabell
IXFA12N50P Foton
IXFA12N50P Pris
IXFA12N50P Erbjudande
IXFA12N50P Lägsta pris
IXFA12N50P Sök
IXFA12N50P Köp av
IXFA12N50P Chip