IXFA12N65X2
MOSFET N-CH
Artikelnummer
IXFA12N65X2
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263AA
Effektförlust (max)
180W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
310 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
18.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1134pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 13070 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFA12N65X2
IXFA12N65X2 Elektroniska komponenter
IXFA12N65X2 Försäljning
IXFA12N65X2 Leverantör
IXFA12N65X2 Distributör
IXFA12N65X2 Datatabell
IXFA12N65X2 Foton
IXFA12N65X2 Pris
IXFA12N65X2 Erbjudande
IXFA12N65X2 Lägsta pris
IXFA12N65X2 Sök
IXFA12N65X2 Köp av
IXFA12N65X2 Chip