IXFA4N100P
MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK
Artikelnummer
IXFA4N100P
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, PolarP2™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (IXFA)
Effektförlust (max)
150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1456pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15203 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFA4N100P
IXFA4N100P Elektroniska komponenter
IXFA4N100P Försäljning
IXFA4N100P Leverantör
IXFA4N100P Distributör
IXFA4N100P Datatabell
IXFA4N100P Foton
IXFA4N100P Pris
IXFA4N100P Erbjudande
IXFA4N100P Lägsta pris
IXFA4N100P Sök
IXFA4N100P Köp av
IXFA4N100P Chip