IXFA3N80
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
Artikelnummer
IXFA3N80
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (IXFA)
Effektförlust (max)
100W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
685pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21626 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFA3N80
IXFA3N80 Elektroniska komponenter
IXFA3N80 Försäljning
IXFA3N80 Leverantör
IXFA3N80 Distributör
IXFA3N80 Datatabell
IXFA3N80 Foton
IXFA3N80 Pris
IXFA3N80 Erbjudande
IXFA3N80 Lägsta pris
IXFA3N80 Sök
IXFA3N80 Köp av
IXFA3N80 Chip