IXFA3N120TRL
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
Artikelnummer
IXFA3N120TRL
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263
Effektförlust (max)
200W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1050pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50903 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFA3N120TRL
IXFA3N120TRL Elektroniska komponenter
IXFA3N120TRL Försäljning
IXFA3N120TRL Leverantör
IXFA3N120TRL Distributör
IXFA3N120TRL Datatabell
IXFA3N120TRL Foton
IXFA3N120TRL Pris
IXFA3N120TRL Erbjudande
IXFA3N120TRL Lägsta pris
IXFA3N120TRL Sök
IXFA3N120TRL Köp av
IXFA3N120TRL Chip