IXFA3N120
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
Artikelnummer
IXFA3N120
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (IXFA)
Effektförlust (max)
200W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1050pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17059 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXFA3N120
IXFA3N120 Elektroniska komponenter
IXFA3N120 Försäljning
IXFA3N120 Leverantör
IXFA3N120 Distributör
IXFA3N120 Datatabell
IXFA3N120 Foton
IXFA3N120 Pris
IXFA3N120 Erbjudande
IXFA3N120 Lägsta pris
IXFA3N120 Sök
IXFA3N120 Köp av
IXFA3N120 Chip