Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXFA36N30P3

IXFA36N30P3

MOSFET N-CH 300V 36A TO-263AA
Artikelnummer
IXFA36N30P3
Tillverkare/varumärke
Serier
HiPerFET™, Polar3™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263AA
Effektförlust (max)
347W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
300V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2040pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6311 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXFA36N30P3
IXFA36N30P3 Elektroniska komponenter
IXFA36N30P3 Försäljning
IXFA36N30P3 Leverantör
IXFA36N30P3 Distributör
IXFA36N30P3 Datatabell
IXFA36N30P3 Foton
IXFA36N30P3 Pris
IXFA36N30P3 Erbjudande
IXFA36N30P3 Lägsta pris
IXFA36N30P3 Sök
IXFA36N30P3 Köp av
IXFA36N30P3 Chip