IRL8113S
MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
Artikelnummer
IRL8113S
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
110W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
105A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2840pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51252 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRL8113S
IRL8113S Elektroniska komponenter
IRL8113S Försäljning
IRL8113S Leverantör
IRL8113S Distributör
IRL8113S Datatabell
IRL8113S Foton
IRL8113S Pris
IRL8113S Erbjudande
IRL8113S Lägsta pris
IRL8113S Sök
IRL8113S Köp av
IRL8113S Chip