IRL8113L
MOSFET N-CH 30V 105A TO-262
Artikelnummer
IRL8113L
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262
Effektförlust (max)
110W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
105A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2840pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 39433 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRL8113L
IRL8113L Elektroniska komponenter
IRL8113L Försäljning
IRL8113L Leverantör
IRL8113L Distributör
IRL8113L Datatabell
IRL8113L Foton
IRL8113L Pris
IRL8113L Erbjudande
IRL8113L Lägsta pris
IRL8113L Sök
IRL8113L Köp av
IRL8113L Chip