IRL80HS120
MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Artikelnummer
IRL80HS120
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
6-VDFN Exposed Pad
Leverantörsenhetspaket
6-PQFN (2x2)
Effektförlust (max)
11.5W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
80V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
32 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 10µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44347 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRL80HS120
IRL80HS120 Elektroniska komponenter
IRL80HS120 Försäljning
IRL80HS120 Leverantör
IRL80HS120 Distributör
IRL80HS120 Datatabell
IRL80HS120 Foton
IRL80HS120 Pris
IRL80HS120 Erbjudande
IRL80HS120 Lägsta pris
IRL80HS120 Sök
IRL80HS120 Köp av
IRL80HS120 Chip