IRF6785MTR1PBF
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Artikelnummer
IRF6785MTR1PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric MZ
Leverantörsenhetspaket
DIRECTFET™ MZ
Effektförlust (max)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.4A (Ta), 19A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53279 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF6785MTR1PBF
IRF6785MTR1PBF Elektroniska komponenter
IRF6785MTR1PBF Försäljning
IRF6785MTR1PBF Leverantör
IRF6785MTR1PBF Distributör
IRF6785MTR1PBF Datatabell
IRF6785MTR1PBF Foton
IRF6785MTR1PBF Pris
IRF6785MTR1PBF Erbjudande
IRF6785MTR1PBF Lägsta pris
IRF6785MTR1PBF Sök
IRF6785MTR1PBF Köp av
IRF6785MTR1PBF Chip