IRF6729MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
Artikelnummer
IRF6729MTRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric MX
Leverantörsenhetspaket
DIRECTFET™ MX
Effektförlust (max)
2.8W (Ta), 104W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
31A (Ta), 190A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.8 mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6030pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15286 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF6729MTRPBF
IRF6729MTRPBF Elektroniska komponenter
IRF6729MTRPBF Försäljning
IRF6729MTRPBF Leverantör
IRF6729MTRPBF Distributör
IRF6729MTRPBF Datatabell
IRF6729MTRPBF Foton
IRF6729MTRPBF Pris
IRF6729MTRPBF Erbjudande
IRF6729MTRPBF Lägsta pris
IRF6729MTRPBF Sök
IRF6729MTRPBF Köp av
IRF6729MTRPBF Chip