IRF6729MTR1PBF
MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
Artikelnummer
IRF6729MTR1PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric MX
Leverantörsenhetspaket
DIRECTFET™ MX
Effektförlust (max)
2.8W (Ta), 104W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
31A (Ta), 190A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.8 mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6030pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12114 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF6729MTR1PBF
IRF6729MTR1PBF Elektroniska komponenter
IRF6729MTR1PBF Försäljning
IRF6729MTR1PBF Leverantör
IRF6729MTR1PBF Distributör
IRF6729MTR1PBF Datatabell
IRF6729MTR1PBF Foton
IRF6729MTR1PBF Pris
IRF6729MTR1PBF Erbjudande
IRF6729MTR1PBF Lägsta pris
IRF6729MTR1PBF Sök
IRF6729MTR1PBF Köp av
IRF6729MTR1PBF Chip