IRF6714MTR1PBF
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Artikelnummer
IRF6714MTR1PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric MX
Leverantörsenhetspaket
DIRECTFET™ MX
Effektförlust (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
29A (Ta), 166A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.1 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3890pF @ 13V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34890 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF6714MTR1PBF
IRF6714MTR1PBF Elektroniska komponenter
IRF6714MTR1PBF Försäljning
IRF6714MTR1PBF Leverantör
IRF6714MTR1PBF Distributör
IRF6714MTR1PBF Datatabell
IRF6714MTR1PBF Foton
IRF6714MTR1PBF Pris
IRF6714MTR1PBF Erbjudande
IRF6714MTR1PBF Lägsta pris
IRF6714MTR1PBF Sök
IRF6714MTR1PBF Köp av
IRF6714MTR1PBF Chip