IRF6711STR1PBF
MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
Artikelnummer
IRF6711STR1PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric SQ
Leverantörsenhetspaket
DIRECTFET™ SQ
Effektförlust (max)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
19A (Ta), 84A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.8 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1810pF @ 13V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43546 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF6711STR1PBF
IRF6711STR1PBF Elektroniska komponenter
IRF6711STR1PBF Försäljning
IRF6711STR1PBF Leverantör
IRF6711STR1PBF Distributör
IRF6711STR1PBF Datatabell
IRF6711STR1PBF Foton
IRF6711STR1PBF Pris
IRF6711STR1PBF Erbjudande
IRF6711STR1PBF Lägsta pris
IRF6711STR1PBF Sök
IRF6711STR1PBF Köp av
IRF6711STR1PBF Chip