IRF6709S2TR1PBF
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1
Artikelnummer
IRF6709S2TR1PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric S1
Leverantörsenhetspaket
DIRECTFET S1
Effektförlust (max)
1.8W (Ta), 21W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta), 39A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1010pF @ 13V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52755 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF6709S2TR1PBF
IRF6709S2TR1PBF Elektroniska komponenter
IRF6709S2TR1PBF Försäljning
IRF6709S2TR1PBF Leverantör
IRF6709S2TR1PBF Distributör
IRF6709S2TR1PBF Datatabell
IRF6709S2TR1PBF Foton
IRF6709S2TR1PBF Pris
IRF6709S2TR1PBF Erbjudande
IRF6709S2TR1PBF Lägsta pris
IRF6709S2TR1PBF Sök
IRF6709S2TR1PBF Köp av
IRF6709S2TR1PBF Chip