IRF6706S2TRPBF
MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1
Artikelnummer
IRF6706S2TRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric S1
Leverantörsenhetspaket
DIRECTFET S1
Effektförlust (max)
1.8W (Ta), 26W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17A (Ta), 63A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.8 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1810pF @ 13V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33169 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF6706S2TRPBF
IRF6706S2TRPBF Elektroniska komponenter
IRF6706S2TRPBF Försäljning
IRF6706S2TRPBF Leverantör
IRF6706S2TRPBF Distributör
IRF6706S2TRPBF Datatabell
IRF6706S2TRPBF Foton
IRF6706S2TRPBF Pris
IRF6706S2TRPBF Erbjudande
IRF6706S2TRPBF Lägsta pris
IRF6706S2TRPBF Sök
IRF6706S2TRPBF Köp av
IRF6706S2TRPBF Chip