IRF6668TR1
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ
Artikelnummer
IRF6668TR1
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric MZ
Leverantörsenhetspaket
DIRECTFET™ MZ
Effektförlust (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
80V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1320pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5131 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF6668TR1
IRF6668TR1 Elektroniska komponenter
IRF6668TR1 Försäljning
IRF6668TR1 Leverantör
IRF6668TR1 Distributör
IRF6668TR1 Datatabell
IRF6668TR1 Foton
IRF6668TR1 Pris
IRF6668TR1 Erbjudande
IRF6668TR1 Lägsta pris
IRF6668TR1 Sök
IRF6668TR1 Köp av
IRF6668TR1 Chip