IRF6655TR1
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
Artikelnummer
IRF6655TR1
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric SH
Leverantörsenhetspaket
DIRECTFET™ SH
Effektförlust (max)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.2A (Ta), 19A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
62 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 25µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11.7nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9800 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF6655TR1
IRF6655TR1 Elektroniska komponenter
IRF6655TR1 Försäljning
IRF6655TR1 Leverantör
IRF6655TR1 Distributör
IRF6655TR1 Datatabell
IRF6655TR1 Foton
IRF6655TR1 Pris
IRF6655TR1 Erbjudande
IRF6655TR1 Lägsta pris
IRF6655TR1 Sök
IRF6655TR1 Köp av
IRF6655TR1 Chip