IRF6645
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ
Artikelnummer
IRF6645
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric SJ
Leverantörsenhetspaket
DIRECTFET™ SJ
Effektförlust (max)
3W (Ta), 42W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.7A (Ta), 25A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
890pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32210 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF6645
IRF6645 Elektroniska komponenter
IRF6645 Försäljning
IRF6645 Leverantör
IRF6645 Distributör
IRF6645 Datatabell
IRF6645 Foton
IRF6645 Pris
IRF6645 Erbjudande
IRF6645 Lägsta pris
IRF6645 Sök
IRF6645 Köp av
IRF6645 Chip