IRF6614TR1PBF
MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
Artikelnummer
IRF6614TR1PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric ST
Leverantörsenhetspaket
DIRECTFET™ ST
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12.7A (Ta), 55A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.3 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2560pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5001 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF6614TR1PBF
IRF6614TR1PBF Elektroniska komponenter
IRF6614TR1PBF Försäljning
IRF6614TR1PBF Leverantör
IRF6614TR1PBF Distributör
IRF6614TR1PBF Datatabell
IRF6614TR1PBF Foton
IRF6614TR1PBF Pris
IRF6614TR1PBF Erbjudande
IRF6614TR1PBF Lägsta pris
IRF6614TR1PBF Sök
IRF6614TR1PBF Köp av
IRF6614TR1PBF Chip