IRF6614TR1
MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
Artikelnummer
IRF6614TR1
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric ST
Leverantörsenhetspaket
DIRECTFET™ ST
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12.7A (Ta), 55A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.3 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2560pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32233 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF6614TR1
IRF6614TR1 Elektroniska komponenter
IRF6614TR1 Försäljning
IRF6614TR1 Leverantör
IRF6614TR1 Distributör
IRF6614TR1 Datatabell
IRF6614TR1 Foton
IRF6614TR1 Pris
IRF6614TR1 Erbjudande
IRF6614TR1 Lägsta pris
IRF6614TR1 Sök
IRF6614TR1 Köp av
IRF6614TR1 Chip