IRF6614
MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
Artikelnummer
IRF6614
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric ST
Leverantörsenhetspaket
DIRECTFET™ ST
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12.7A (Ta), 55A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.3 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2560pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9801 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF6614
IRF6614 Elektroniska komponenter
IRF6614 Försäljning
IRF6614 Leverantör
IRF6614 Distributör
IRF6614 Datatabell
IRF6614 Foton
IRF6614 Pris
IRF6614 Erbjudande
IRF6614 Lägsta pris
IRF6614 Sök
IRF6614 Köp av
IRF6614 Chip