IRF6609
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Artikelnummer
IRF6609
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric MT
Leverantörsenhetspaket
DIRECTFET™ MT
Effektförlust (max)
1.8W (Ta), 89W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
31A (Ta), 150A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2 mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6290pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11274 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF6609
IRF6609 Elektroniska komponenter
IRF6609 Försäljning
IRF6609 Leverantör
IRF6609 Distributör
IRF6609 Datatabell
IRF6609 Foton
IRF6609 Pris
IRF6609 Erbjudande
IRF6609 Lägsta pris
IRF6609 Sök
IRF6609 Köp av
IRF6609 Chip